浙江大学因公出国（境）团组出访报告公示

基     本    信息

团组名称

浙江大学赵毅1人出访

出访期限

2019-12-10至2019-12-13

在外时间

总天数4天

出访国家（地区）

（含过境）

美国,旧金山

出访报告

一、  访问情况：

应美国IEEE IEDM组委会的邀请，浙江大学赵毅教授于2019年11月9日至2018年12月13日赴美国旧金山参加IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)。在外共停留4天。

二、访问成果

本次受IEDM组委会邀请，前往旧金山参加19年的国际电子器件会议。本次大会中，主持了先进逻辑技术锗基器件的分会，参加旁听了关于存储器件技术、器件可靠性和器件模型仿

真等方面的分会报告，并与Intel、IBM等半导体公司和

各世界高校的技术人员进行了关于半导体技术的讨论。本次会议对于未来课题组的研究方向有颇多指引，如锗基三维器件的开发、磁阻存储器的原理研究与应用开发、铁电材料的

器件研究等都或将成为课题组未来发展重点。

三、工作建议

暂无。