浙江大学因公出国（境）团组出访报告公示

基     本    信息

团组名称

浙江大学张睿1人出访

出访期限

2019-12-10至2019-12-16

在外时间

总天数7天

出访国家（地区）

（含过境）

美国,San Diego

出访报告

一、  访问情况：

应国际电气电子工程师协会（IEEE）半导体界面专家会议（SISC）组委会的邀请，浙江大学张睿于2019年12月10日

至2019年12月16日赴美国圣地亚哥参加学术会议，并做会议论文报告。

二、访问成果

1，在会议上做论文报告：The Evaluation of the TDDB and   the SILC Behaviors in Thin GeO2/Ge Gate Stacks

 Fabricated by Thermal   Oxidation；
   2，与国内外研究者共同（普渡大学PD. Ye教授，大阪大学渡部真司教授，剑桥大学J. Robertson教授，武汉大学

郭宇铮教授等）探讨了半导体器件技术未来发展趋势以及后续合作计划。

三、工作建议

无