报告主题（Title）：面向后摩尔时代的锗基新结构器件设计与器件物理 报告时间（Time）：2016年11月28日  16:00—16:45 报告人：程然博士 地点：行政楼128会议室

报告摘要（Abstract）：在过去的半个多世纪，金属半导体氧化物场效应晶体管（MOSFET）的不断微缩化为集成电路的发展带来了飞跃性的进展。随着MOSFET尺寸的减小，电路的封装密度和开关速度都在不断提高。从90 nm技术节点开始，单一的缩小尺寸已经不能保证等比例的性能提升。因此，应变工程，高κ金属栅技术和3D多栅晶体管（FinFET）被不断引入，用于提升MOSFET的性能。在后摩尔时代（10 nm及以下的技术节点），进一步通过缩小MOSFET的尺寸来提高晶体管的开关速度面临诸多技术和工艺成本方面的挑战。在本次报告中，报告人针对上述难题，提出了短期和中长期的解决方案。通过引入更加有效的相变材料应变技术和采用Ge作为沟道材料制备纳米线晶体管，为10 nm及以下的技术节点，提供了行之有效的工艺设计方案。此外，针对极短沟道高性能硅和锗器件，本报告提供了准确表征其特性的快速脉冲测试法。极短沟道高性能晶体管，具有很高的驱动电流和较低的散热效率，因此，在开启状态下，很容易在沟道中产生大量的热，并影响晶体管的工作性能。区别于传统的直流测试法，快速脉冲测试法可以在极短时间能表征晶体管的性能而不产生自热效应，因此，有利于准确获得高性能晶体管的器件特性。

报告人简介（Short Biography）: 程然博士本科毕业于新加坡国立大学电子工程专业，并在新加坡国立大学取得微电子方向的博士学位，在微电子教学和研发方面具有坚实的基础和丰富的经验。同时，报告人在博士期间在新加坡国立大学硅纳米实验室担任助理研究员，负责与企业合作相关的研发工作，具有良好的企业合作经验和国际视野。在博士期间，她独立承担科研项目，在绝缘层上硅和锗多栅晶体管的工艺制备以及应变工程技术方面取得了国际领先的进展。她开发制备了直径只有3.5 纳米的绝缘层上锗纳米线晶体管，并通过引入应变工程技术，实现了100%性能的提高，并被知名半导体网站Semiconductor Engineering引用。近年来他以第一作者身份在国际电子器件领域的权威会议IEEE IEDM（2013）和VLSI Symposia（2012）上做报告，研究成果获得新加坡以及国际奖项，其工作一直得到国际半导体学术及工业界的关注。程然博士在浙大博士后期间，在锗和硅器件的可靠性，自热效应和输运特性表征方面取得了优秀的成果，发表并即将发表多篇会议及期刊论文。