题目：Status, Prospects, and Simulation/Modeling of RRAMs

时间：2016年5月17日（周二） 上午10:30-12:00

地点：信电楼117会议室

报告人：余志平教授

Abstract

The status of emerging non-volatile memories (NVMs) is reviewed, including PCM, STT-MRAM, and RRAM. RRAMs are classified in terms of switching materials (e.g., TMO, solid-state electrolyte) and conductive path (filament or bulk). In particular, the structure and large-scale realization of CBRAM (conductive-bridge RRAM) are described.The identification of RRAM switching mechanisms involves electro-thermal-chemical process, and is statistical in nature. Kinetic Monte-Carlo (KMC) is the suitable tool for this purpose. An in-house developed KMC code, both 2D and 3D, is discussed, along with its application to a low-power 3-terminal RRAM.Finally, compact models for RRAM used in the circuit simulation are briefly introduced.

Biography

余志平，清华大学微电子学研究所教授、博士生导师，IEEE（国际电机电子工程师协会）终身（Life）Fellow。其专业领域是集成电路计算机辅助设计（ICCAD），主要从事半导体器件模拟与电路集约模型建模。已发表学术论文近400篇，合著英、中文专著各一本。七五计划期间（1986-1990）参与组织的熊猫集成电路设计系统获1993年国家科技进步一等奖。目前是IEEE EDS（电子器件分会）Nanotechnology（纳米技术）与半导体制造（Semiconductor Manufacturing）委员会成员。近年来的研究项目主要集中在纳电子器件（包括石墨烯器件与变阻存储器－RRAM）、CMOS射频电路建模与设计、半导体器件物理（包括量子输运与能带计算）等。已承担与正在承担的国家科研项目包括国家自然科学基金的重点项目与国际合作重点项目，973、863项目，国家重大科技专项（01-03）项目。