近期将举行“I·SEE”学术论坛第二十九场——旺宏电子专场，我们有幸邀请到了旺宏电子的谢光宇博士介绍闪存技术的前景。
内容简介：
随着云端时代的来临，可预期的高密度闪存将会是关键技术零组件。本演讲中将会对现况的闪存做介绍，同时也会对下一代的闪存发展做前瞻性分析，其中包括3D内存，相变化内存以及电阻式内存等等。演讲中也将介绍旺宏电子在闪存领域近年来研发的成果，以及旺宏在IEDM大会上发表论文的内容。
时间与地点：4月26日（周四） 18:30-20:30 玉泉校区教三-441
演讲人：谢光宇博士
旺宏电子前瞻技术实验室纳米技术研究处处长
美国North Carolina State University, 材料科学博士
闪存器件领域专家：发表九十篇期刊论文、申请有四十五项专利
旺宏电子公司简介
2011年营收为9.3亿美金
全球最大的只读存储器(ROM)生产制造商
嵌入式市场全球第四大NOR闪存供应商
在相变化内存(PCM)及3D 闪存领域具有许多重要技术与专利
与IBM成立技术合作联盟，共同进行相变化闪存先驱技术的研究
此次宣讲会准备了丰富礼品，参与互动问答的同学将有精美礼品相赠，数量多多，期待您的参与！
请感兴趣的同学积极参加，与会同学需在门口签到。
信电系研究生党总支
信电系博士生会
2012年4月24日
