10月27日，“柔性电子和智能系统（二维电子材料专场）”研讨会在浙江大学国际联合学院（海宁国际校区）顺利举办。本次研讨会由浙江大学信息与电子工程学院主办，浙江大学国际校区信息电子国际研究中心承办，此次活动得到浙江大学国际合作专项支持。

本次会议采用线上线下相结合的方式，来自剑桥大学的Andrea C. Ferrari教授、Stephan Hofmann教授、Yan Wang博士后以及来自浙江大学的俞滨教授、徐杨教授受邀做了精彩的学术报告，并与相关领域的学者、师生们进行了互动交流。

会议由浙江大学信息与电子工程学院教授、浙江大学国际校区信息电子国际研究中心主任骆季奎主持。

主持人 骆季奎教授

剑桥大学Ferrari教授作题为“Layered Materials: Characterization and Applications”的报告，概述了石墨烯和层状材料（LM）的生产、表征和应用，并介绍了石墨烯和层状材料（LM）在新型发光器件中的巨大应用潜力。

剑桥大学 Andrea C. Ferrari教授

浙江大学俞滨教授作题为“Post-Moore Electronics Inspired by 2D Materials”的报告，介绍其研究团队基于二维材料所研发的一系列器件，包括逻辑开关，存储器，片上互连，传感器和神经形态计算元件等。

浙江大学 俞滨教授

浙江大学徐杨教授作题为“Broadband Graphene-Silicon Integrated Field-Effect Coupled Detectors”的报告，介绍了一种对X射线到近红外区域的光子敏感的宽带石墨烯-硅场效应耦合探测器（FCD），这些器件具有用于电荷集成的深度耗尽硅阱，用于非破坏性直接读出的单层石墨烯和红外光电荷注入的多层石墨烯。

浙江大学 徐杨教授

剑桥大学Stephan Hofmann教授作题为“Operando and High-Throughput Approaches to Advance Integrated Process Technology of Atomically Thin Device Materials”的报告，报告中介绍了其课题组在二维材料生长机理和生长技术方面的研究，通过实时表征技术手段的开发和拓展，探讨二维材料生长的机理。通过在反应系统中引入“解构”模型，以识别金属有机化学气相沉积（MOCVD）中可能产生的过渡金属二碳化合物（TMD）生成物。该团队从原理和基础出发，对材料的生长、特性、器件功能、器件集成和制造途径进行研究，致力于以应用为导向的新器件材料的探索。

剑桥大学 Stephan Hofmann教授

剑桥大学Yan Wang博士后作题为“Van der Waals Contacts on 2D Semiconductors”的报告，介绍了通过温和沉积软金属（如铟）来实现高性能N型二维材料场效应晶体管（FETs）的工作，以及使用高功函数的Pd和Pt的电子束蒸发在单层MoS2和WSe2上实现P型二维材料FETs的工作。

剑桥大学 Yan Wang博士后

五位教授学者围绕自身课题组研究成果的精彩分享深度启发了与会者的思考，与会者踊跃提问，教授学者们一一解答，现场互动活跃。

学术互动

本次研讨会为探讨多学科交叉融合能力、国际合作能力、拓展性思维，以及多研究机构交流的开放式学术氛围培养做出了引导，充分彰显了我院高水平、国际化的学术氛围。衷心希望能够以本次会议为契机，继续加强我院与剑桥大学的交流合作，提高学科科研水平和国际声誉。