自从1965年英特尔公司主要创始人摩尔提出了备受IC行业中的学者、研发人员和工程技术人员关注和执行的“摩尔定律”以后，到目前为止，集成电路发展中的每个技术节点都如所料按期实现，但是传统的按比例缩小方法已经在目前工艺制造中表现出了极限性，为了实现集成电路技术按“摩尔定律”发展，一些新材料，新工艺以及随之而来的新的IC设计方法受到了众多学者和研发人员的广泛关注和研究。2007年11月23日下午，由浙江大学微电子与光电子研究所主办，浙大-加州纳米研究院，IEEE-EDS HZ协办的有关集成电路领域的讲座在浙江大学微电子与光电子所三楼多媒体教室热烈展开。来自美国Santa Clara大学的Cary Yang教授和来自北京大学的程玉华教授分别给大家带来了有关基于硅的电气互联以及热界面材料的研究和纳米尺寸下RF SOC设计平台开发的精彩报告。

       Cary Yang教授于1975年获得宾州大学电子工程系博士学位后，在MIT作博士后从事III-IV族宽带半导体研究，并先后在NASA和UCLA任职，1983年进入Santa Clara大学，并获得终身教授。他是IEEE Fellow、IEEE ED分会（IEEE最大分会）前主席、Santa Clara大学工程学院院长，创建了Santa Clara大学纳米电子研究中心并任主任。Cary Yang教授首先向大家介绍了当今CMOS工艺按比例缩小进入纳米级后所带来的电气互联和散热问题，引出了碳纳米管作为原型互联线取代铜线的可能性，随后，Cary Yang教授详细介绍了碳纳米管作为原型互联线的研究进展并以详细的数据及图表向我们展示了该原型互联线的连接效果，展示了碳纳米管的结构并阐述了该管制造的工艺流程，最后，Cary Yang教授总结了碳纳米管作为下一代芯片互连线和解决散热问题等方面的优点。整个讲座过程中，不时有老师和同学就感兴趣的问题进行提问，Cary Yang教授就这些问题进行了详细的阐述。

       程玉华教授（IEEE Fellow）1985年博士毕业于清华大学电子工程系。1995至1997年在加州大学Berkeley分校作高级研究员。他提出并建立了著名的BSIM3v3（Berkeley Short-channel IGFET Model 3 version 3）模型，该模型是目前IC TCAD领域的权威模型。程教授在Skyworks solutions和Siliconlinx , Inc领导的研究组做高级研究员时研制出了很多有名的射频和混合信号的芯片。现在，程玉华教授任北大上海微电子研究院院长和全职教授。程教授就纳米尺寸下RF Soc设计的技术平台的发展进行了详细了介绍。首先，程教授图文并茂的向大家展示了半导体工业的发展趋势，介绍了不同工艺技术模型下集成电路设计中需要考虑到越来越多的设计，制造等方面的问题。他向大家阐述了DFM（design for manufacture）和DFY（design for yield）的设计思想在纳米级CMOS设计过程中的重要作用。随后，程教授介绍了有关Nano-scale RF SoC设计的技术平台的发展，展望了未来集成电路设计的发展，最后，程教授热情的解答了同学的提问。

       讲座结束后，两位教授和相关老师以及同学进行了面对面的交流，并就集成电路发展中的相关问题进行了讨论。