2007年5月18日至22日，浙江大学-美国UCF大学ESD联合实验室、杭州国家高新技术产业开发区人才中心、国家集成电路设计杭州产业化基地联合举办了为期五天的“ON CHIP ESD（静电放电）防护设计”高级培训班，报名参加人员有浙江大学研究生、全国IC（集成电路）行业技术人员共80多人，该班获得了浙江大学研究生院重点建设课程经费的支持。

  5月18日下午，首先由浙江大学微电子所董树荣副教授作了关于集成电路片上ESD防护知识的介绍，主要内容包括ESD的各种模型介绍、栓锁效应的介绍以及各种ESD防护器件的介绍。接着由美国吉时利仪器公司的高级工程师张海洋先生作了ESD相关测试仪器的介绍。

  5月19日上午，James E.Vinson博士为我们作了关于钳位单元设计的报告。

他从ESD击穿机制、保护目的、测试模型、ESD设计过程和方法等各方面为我们作了生动的介绍。James E.Vinson博士是Intersil公司在美国Florida总部研究中心的可靠性研究组主任，他从企业实践者的角度生动地为我们讲解了在工业领域如何设计IC的ESD保护电路。下午，JJ Liou教授作了关于射频ESD设计的报告。JJ Liou教授是IEEE EDS副主席、美国UCF大学工学院副院长、浙大光彪特聘教授，他从政府机构和业界获得超过700万美金的研究合同，并在中国大陆、中国台湾、美国、日本、新加坡等国家与地区的多个研究实验室和公司主持研究或作技术顾问。JJ Liou教授从如何评估ESD器件、RF电路ESD的设计、ESD建模等方面进行了系统的阐述。

  5月20日上午，James E.Vinson博士从芯片级ESD设计和应用方面再次为我们作了讲解。讲解分为以下几个方面：ESD保护方法、存在问题及解决方案、如何从工艺上加强ESD性能。期间，James E.Vinson博士对如何用二极管和MOSFET两种典型的ESD防护器件来设计进行了重点讲解。下午，浙江大学硕士研究生崔强对如何使用TCAD仿真工具辅助设计ESD防护器件进行了讲解，包括TSUPREM4/MEDICI、ATHENA/ATLAS、DIOS/DESSIS三套现有仿真工具的使用介绍，并对如何使用瞬态仿真对ESD器件性能进行评估进行了重点介绍。

  5月21日上午，TE-KUANG CHIANG教授从理论角度对MOSFET建模进行讲解。TE-KUANG CHIANG教授是南台湾科技大学电子工程系主任，2006 IEEE特邀讲员。TE-KUANG CHIANG教授从如何以数学推导对MOSFET建模进行了深刻的剖析。下午，讯程实业股份有限公司副总经理何正江先生从ESD测试标准与仪器使用方面做了深刻的讲解。何正江先生是讯程实业股份有限公司副总经理、台湾静电协会理事兼测试标准小组组长、2005年台湾静电放电防护技术研讨会议程主席、2006年台湾静电放电防护技术研讨会大会主席。

  5月22日上午，Zhiwei Liu博士对晶闸管类ESD防护器件设计进行深刻讲解，Zhiwei Liu是美国UCF大学微电子专业博士研究生，曾任职于Intersil、Analogy公司，多年从事ESD设计与研究，特别对基于SCR的ESD设计有多年的实践经验。Zhiwei Liu博士从以下各方面进行了系统讲解：经典的芯片上ESD保护电路介绍、SCR工作机制、各种SCR器件结构介绍、建模方法、双通道ESD保护设计、用SCR设计RF ESD。

  22日上午课后，举行了培训班结班仪式，刘俊杰教授和浙大微电子与光电子所副所长韩雁教授发表讲话，并由主办方的领导给学员颁发结业证书，至此，“ON CHIP ESD防护设计”高级培训班在热烈的掌声中圆满结束。