近日，IEEE国际可靠性物理会议(IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS)公布了2020年的获奖论文。信息与电子工程学院赵毅教授团队发表的关于超小尺寸FinFET器件自热效应的研究荣获最佳论文奖(Best Paper Award)。论文第一作者为博士研究生曲益明同学。这是来自中国的研究成果首次获此荣誉，也是近年鲜有地以学生为第一作者的论文获此奖项。 

    59年来，IRPS一直是国际上工程师和科学家在集成电路可靠性领域展示原创工作的首演会议，吸引来自美国、欧洲、亚洲和世界其他地区的参与者，通过对失效物理和应用环境的分析，了解半导体器件、集成电路和微电子系统的可靠性。 

    赵毅教授团队此次获奖的论文基于其发表在2017年顶级会议国际电子器件大会IEDM上的研究成果，深度开发了超快速亚纳秒测试系统，国际上首次对工作在电路速度下先进FinFET器件的自热效应进行了原位动态监测，并将所提取的瞬态温度应用到了器件可靠性退化行为的评估与模型建立中。自热效应已经成为亚10纳米集成电路先进技术节点中最为严重和最受关注的可靠性问题，赵毅教授团队的此项研究成果不仅对于器件研发有重要意义，也为电路设计者在设计电路时钟和器件布局时提供了参考。

    博士研究生曲益明同学入学以来，在课题组内率先开始了器件超快速测试技术的研究工作，从缺乏足够的理论指导和参考文献的情况下，克服重重困难，不断取得突破,屡次在IEDM\IRPS等知名国际会议上发表成果.目前在超快速测试方面浙江大学已经走在国际前列。

    在此特别感谢前期合作者陈冰老师，程然老师，张睿老师。

图 1 获奖链接：https://irps.org/wp-content/uploads/sites/15/2020/08/IRPS_News1.pdf 

图 2 在不同电路速度的 AC 信号下，原位实时监测得到的 FinFET 晶体管沟道温度变化