第63期“I•SEE”学术论坛――Prof.H.-S.Philip Wong专场报告会顺利举行

编辑:yjssz 日期:2016-10-31 访问次数:3151

1028日下午,信电学院第63“I•SEE”学术论坛暨Prof. H.-S. Philip Wong专场报告会在教三441报告厅成功举行。

本期论坛很荣幸的邀请到了来自斯坦福大学的H.-S. Philip Wong教授。Philip Wong教授曾在1988年至2004年期间任职于IBM T. J Watson研究中心,2003年至2004年担任集成电路领域顶级会议ISSCC附属委员会主席,2005年至2006年担任IEEE transaction on nanotechnology的主编,2007年担任微电子器件领域顶级会议IEDM的大会主席。现为IEEE fellow, VLSI技术研讨会的IEEE执行委员会主席, 斯坦福System X(前身为集成系统中心)的主任之一。

本期报告主题是Device Technologies for N3XT 1000× Improvement in Computing Performance, 即推动实现使计算机性能提高1000倍的纳米技术。

计算信息技术在数据处理方面具有广泛应用,Wong教授首先指出,由于存储墙的壁垒越来越高,存储器性能与高速处理器性能上差距越来越大,未来软硬件技术将会重点解决这一问题。人工神经网络,类脑计算是软件技术发展的一个方向,而对于硬件,纳米级芯片以其极小型化、高速处理速度的特点,亦将占据主导地位。

    Philip Wong教授提出未来的存储芯片将不再是二维平面电路的形式,大量的纳米级芯片将超密度的大量连接在一起构成整体的三维结构以满足高速计算的需求,纳米尺寸芯片的实现要突破温度、尺寸、效率的限制,在现在和未来都是一个重要的研究方向。

继而Wong教授介绍了MRAMRRAMPCMCBRAMFERAM等各类新型存储器的结构及功能特性,以及近日引起轰动的1nm晶体管,以此为引, Wong教授向同学们介绍了几种纳米场效应管,例如碳纳米管场效应管(CNFET)。

之后Wong教授重点阐述了集成计算逻辑单元、传感器和存储器的N3XT架构。N3XT架构支持稀疏、随机的计算结构和高驱动电流,具有多层超薄的结构特性。Wong教授还展示了使用N3XT架构纳米系统的性能应用。

时长一个半小时的报告会转瞬即逝,在Wong教授结束报告之后,同学们踊跃发言,就碳纳米管在3D架构中的集成密度瓶颈、3D架构中可能存在的散热,串扰,能量传输问题,以及光集成在3D架构中的可能性等方面提问。Wong教授指出,在N3XT中能量可以多层传输,每一层都可以任意指定其功能,而纳米管作为目前较为成熟的新材料,可能在未来实现高集成度的3D架构中起到巨大的作用, 同时Wong 教授还提到,这个3D框架在设计、制造层面还存在较多无法确定的因素,但3D纳米系统计算机本身是未来一个极为重要的的研究方向。

最后本次讲座邀请人,微电子学院刘�教授向Philip Wong教授赠送了纪念品,在同学们热烈的掌声中,本期学术论坛落下了帷幕。(图、文/王浩)

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