第29期“I•SEE”学术论坛―旺宏电子专场报告会顺利举行

编辑:yjssz 日期:2012-04-28 访问次数:4172
2012年4月26日晚,“ISEE”学术论坛第二十九期报告会在玉泉教三441顺利举行,本次学术论坛有幸邀请到了旺宏电子的谢光宇博士来做报告。报告得到了很多同学的参与和关注。
谢光宇博士的报告主题是《前瞻闪存技术的挑战与展望》。他就当代闪存的发展现状及下一代的闪存发展前景为我们展开了深入详细的分析和讲解。同时,他还介绍了旺宏电子在闪存领域近年来研发的成果,以及在IEDM大会上发表的论文内容。
报告的开始,谢博士用幽默诙谐的语言,深入浅出地给我们讲解了半导体记忆体在人们日常生活中的广泛应用及其新的发展形势等,也介绍了电子工业的发展潜力和未来半导体行业的巨大生机。
谢博士同时就闪存技术中存在的挑战,介绍了晶体管、集成电路的发展和演进。他以简洁、形象的语言描述了半导体存储器的分类和MOSFET与闪存记忆单元的区别。在谈到闪存的应用时,谢博士用贴切的比喻详细地解释了NOR和NAND所面临的深层挑战,包括NOR在45nm之后很难高度集成和NAND在2Xnm时候会遇到集成壁垒。同时,还提及了Floating Gate Cell现阶段发展中存在的问题,让同学们解决了不少的困惑。
报告会上,谢博士还向同学们介绍了国际上制造闪存芯片的各大厂商,以及他们在今后将会着力进行的研发方向,其中主要对旺宏电子与SAMSUNG公司在闪存领域的研发现状进行了对比。同时在实现闪存芯片的晶体管高密度的技术难关上,谢博士用动态的图画展示了旺宏电子自主创新了3D堆叠的技术。在纳米领域,2D至3D技术的根本转变会给这些企业带来更多的机遇与挑战。谢博士介绍了下一代NVM的主要特点,包括3D堆栈存储技术以及PCM技术;此外,ReRAM也是一种选择。
最后,针对行业中存在技术难关和挑战,谢博士介绍了旺宏电子的企业文化和创新理念,并对下一代存储器进行了展望。他认为只有技术上不断创新和牢牢地把握市场,一个企业才能持续不断地向前发展。
在报告的讨论环节,在场的许多同学非常踊跃积极地向谢博士提问和交流。同学们提出的一些有价值的问题和想法受到了谢博士的称赞和鼓励。谢博士将自己做研究的切身体会与大家分析,他让大家要有挑战困难的决心,时刻保持强烈的好奇心,不耻下问,在学术和研究的道路上,不断探索和发展。
活动结束后,仍有不少同学继续与谢博士进行了亲切的交流和互动。许多同学表示这次报告在学术研究上给了大家许多指导和启发。
至此,“I.SEE”学术论坛第二十九场报告会顺利落下了帷幕。
 
 
信电系研究生党总支
信电系博士生会
2012年4月28日